일반기술

얼라인 방법 및 얼라인 장치

본 기술은, 대상 기판과 대상 마스크를 보다 정확히 얼라인 할 수 있게 하는 얼라인 방법 및 얼라인 장치에 관한 것이다. 종래에는 박막 패턴 형성 공정에 따라, 해당 공정에 사용되는 얼라인 키가 제대로 인식되지 못하여, 상기 대상 기판과 대상 마스크의 얼라인이 정확히 이루어지지 못하는 경우가 다수 발생하였으며, 이는 반도체 소자 또는 각종 디스플레이 소자의 특성 저하 또는 수율 저하로 직결되었다. 본 기술의 목적은, 종래 기술의 문제점을 해결하여, 대상 기판과 대상 마스크를 보다 정확히 얼라인할 수 있게 하는 얼라인 방법 및 얼라인 장치를 제공하기 위한 것이다.본 기술은, 각각 소정의 광량으로 조절된 하나 이상의 광원을 사용해, 대상 기판 또는 대상 마스크 상에 형성된 얼라인 키에 대한 인식율을 측정하는 제 1 단계; 상기 측정 인식율을 미리 설정된 기준 인식율과 비교하는 제 2 단계; 상기 측정 인식율이 상기 기준 인식율보다 낮으면, 상기 하나 이상의 광원의 종류, 광량 또는 광축을 조절하는 제 3 단계; 상기 측정 인식율이 상기 기준 인식율 이상으로 될 때까지 제 1 단계 내지 제 3 단계를 반복하는 제 4 단계; 및 상기 대상 기판 및 대상 마스크 상에 각각 형성된 얼라인 키의 위치를 기준으로 상기 대상 기판 및 상기 대상 마스크를 얼라인하는 제 5 단계로 구성되어 있다. 본 기술에 따르면, 반도체 소자 또는 각종 디스플레이 소자를 제조하는 공정에서, 대상 기판과 대상 마스크를 보다 정확히 얼라인 할 수 있으므로, 반도체 소자 또는 각종 디스플레이 소자의 특성 향상에 크게 기여할 수 있으며, 이들의 수율 또한 크게 높일 수 있다.