일반기술

유기 전계 발광 소자의 보조전극 형성방법

본 기술은 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 종래 기술에 따른 유기 전계 발광 소자의 보조전극 중, 보조전극 패턴을 아민기(Amine)를 포함하는 세정액을 이용하여 감광막 패턴을 제거하고, 초순수를 이용한 린스세정을 실시할 경우, 알루미늄을 포함하는 금속합금막, 예를 들어 알루미늄-네오디뮴(AlNd)막이 몰리브덴(Mo)막보다 식각 속도가 빠르기 때문에 아민기의 농도가 높은 경우에는, 상부 몰리브덴(Mo)막과 하부 몰리브덴(Mo)막 사이에 보이드(void)가 발생할 수 있다. 또한, 아민기의 농도를 낮출 경우에는, 하부 몰리브덴(Mo)막과 알루미늄(Al)을 포함하는 금속합금막 사이에 보이드(void)가 발생할 수 있다. 이렇게 발생된 보이드에 의해 보조전극 패턴은 스텝 커버리지(step coverage) 특성이 불량한 구조의 프로파일(profile)로 형성될 수 있다. 그리고 이러한 구조의 프로파일로 보조전극 패턴이 형성되면 유기 전계 발광 소자의 전기적 특성이 저하될 수 있다. 본 기술의 목적은, 양전극층 상에 다층 금속으로 이루어진 보조전극 패턴의 프로파일 및 스텝 커버리지 특성을 향상시킬 수 있는 유기 전계 발광 소자의 보조전극 형성방법을 제공하는데 있다.본 기술에 따른 유기 전계 발광 소자의 보조전극 형성방법은, 기판 위에 어느 한 방향으로 뻗어 있는 양전극층 패턴을 형성하는 단계; 상기 양전극층 패턴의 말단부 위에 알루미늄 합금을 포함하는 다층 금속막으로 이루어지는 보조전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 보조전극 패턴을 포함하는 기판을 세정조에 로딩하는 단계; 및 상기 세정조에 서로 다른 함량의 아민(amine)과 초순수를 혼합한 두 종류 이상의 세정액을 순차 공급하여 상기 다층 금속막으로 이루어지는 보조전극 패턴의 측면 프로파일을 동일하게 형성하는 단계로 이루어져 있다. 본 기술에 따른 유기 전계 발광 소자의 보조전극 형성방법에 의하면, 양전극층의 말단부에 형성되는 다층 금속막을 포함하는 보조전극 패턴 형성시, 습식식각 공정 후 세정공정 또는 포토레지스트의 박리 후 세정공정에서 선택적으로] 세정액의 아민 농도를 조절하여 공급함으로써 보조전극 패턴의 프로파일 및 스텝 커버리지 특성을 향상시킬 수 있다.