일반기술

오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성방법

본 기술은 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포지티브(positive) 감광막(photoresistor)을 이용한 오엘이디 소자의 격벽 형성방법에 관한 것이다. 종래의 수동형 매트릭스(passive matrix) 오엘이디 소자에서, 네가티브 감광막을 이용한 방법은 공정조건이 조금만 변하더라도 역테이퍼형 격벽의 측면각도가 변할 수 있어 상부전극의 절연불량을 초래할 수 있고, 또한 역테이퍼형 격벽은 위에서 기판 쪽으로 내려갈 수록 그 폭이 줄어드는 형태이므로 격벽의 바닥부(bottom)의 선폭이 얇아지게 되어 소자 전체에서 부분적으로 격벽이 무너지는 불량이 야기될 수 있다. 본 기술의 목적은, 종래의 역테이퍼형 격벽이 아닌 새로운 형태의 격벽을 보다 안정적이고 핸들링이 용이한 포지티브 감광막을 이용하여 새로운 형태의 격벽을 형성할 수 있는 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성방법을 제공하는데에 있다. 본 기술의 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성방법은 하부전극패턴과 절연체가 형성된 기판 상에 제1 포지티브 감광막을 형성하는 단계; 제1 포지티브 감광막을 노광하여 제1폭을 가지는 하부격벽층을 형성하는 단계; 제1 포지티브 감광막 상에 제2 포지티브 감광막을 형성하는 단계; 하부격벽층에 대응되는 위치의 제2 포지티브 감광막을 노광하여 제1폭보다 큰 제2폭을 가지는 상부격벽층을 형성하는 단계; 및 현상공정을 통해 제1 포지티브 감광막과 제2 포지티브 감광막 중 노광되지 아니한 영역을 제거하는 단계로 구성된다. 본 기술의 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성방법에 의하면 포지티브 감광막을 사용하여 견고하면서도 각 화소영역 별 상부전극을 전기적으로 분리시킬 수 있는 기능을 가질 수 있으며, 특히 네가티브 감광막에 비해 안정성이 뛰어나고 핸들링이 쉬운 포지티브 감광막을 이용하여 격벽을 제조할 수 있기 때문에 종래의 역테이퍼형 격벽보다 형성이 용이하다는 장점이 있다.