일반기술

오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법

본 기술은 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 오엘이디 디스플레이 소자를 제조함에 있어서 각 층별로 각각의 얼라인 마크를 형성함으로써 격벽의 하부에 존재하는 층을 자유롭게 선택할 수 있도록 하는 오엘이디 소자의 제조방법에 관한 것이다. 종래의 오엘이디 디스플레이 소자를 제조하기 위한 공정에서, 격벽은 노출된 SiO2막 상에 형성되게 되어 상기에서 설명한 바와 같이 격벽은 SiO2막과 결합력이 좋지 않게 때문에 상기와 같이 얼라인 마크 하나를 가지고 오엘이디 디스플레이 소자의 제조공정을 진행하게 되면, 필연적으로 포토레지스트로 형성되는 격벽의 하부에는 SiO2막이 존재하게 되고, 이로 인해 격벽의 벗겨짐(peeling)이 발생하게 되는 문제가 있다. 본 기술의 목적은, 형성하고자 하는 각 층별로 각각 별개의 얼라인 마크를 구비하여 최종적으로 형성되는 격벽의 하부에 형성되는 막의 종류를 자유롭게 선택할 수 있도록 해주는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법을 제공하는데에 있다.본 기술은, 포토레지스트를 이용하여 형성되는 격벽의 하부에 포토레지스트와 접착력이 떨어지는 SiO2막 대신에 접착력이 우수한 ITO막이 형성되도록 해줄 수 있는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법이다. 본 기술에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법은 형성하고자 하는 각 층별로 별개의 얼라인 마크를 구비하여, 최종적으로 형성되는 격벽의 하부에 형성되는 막의 종류를 자유롭게 선택할 수 있도록 해주는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법에 의하면, 포토레지스트를 이용하여 형성되는 격벽의 하부에 포토레지스트와 접착력이 떨어지는 SiO2막 대신에 접착력이 우수한 ITO막이 형성되도록 해주는 것이 가능해져, 격벽의 벗겨짐 현상을 방지할 수 있게 된다.