일반기술
유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
본 기술은 오엘이디 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 에이징 공정 중에 부분적으로 버닝 픽셀이 발생하더라도 픽셀 결함이 드러나는 것을 방지할 수 있도록 한 오엘이디 소자의 제조방법에 관한 것이다. 종래의 오엘이디 소자는 에이징(Aging) 공정 중에 진행성 결함(defect)이나 부분적으로 두께 균일성(uniformity)이 떨어지는 단위 화소 영역(pixel)에서 음전극인 금속 전극이 열에 의해 타본 버리면서 픽셀 결함(pixel defect)이 발생하는 문제점이 있었다. 본 기술의 목적은, 부분적인 에이징 공정 중에 버닝 픽셀이 발생하더라도 픽셀 결함이 드러나는 것을 방지할 수 있는 오엘이디 소자의 제조방법을 제공하는 데에 있다. 본 기술에 따른 오엘이디 소자의 제조방법은 기판 상에 일 방향으로 길게 뻗는 스트라이프 형상의 하부전극패턴을 형성하는 단계; 하부전극패턴이 형성된 기판 상에 하부전극패턴의 일부를 노출시켜 복수개의 화소개구부를 가지는 단위 화소 영역이 정의되도록 절연막을 형성하는 단계; 단위 화소 영역 사이에 하부전극패턴과 수직 교차하는 방향으로 격벽을 형성하는 단계; 복수개의 화소개구부 상에 발광유기물층을 형성하는 단계; 및 발광유기물층이 형성된 복수개의 화소개구부를 가지는 단위 화소 영역 상에 하부전극패턴과 수직 교차하는 방향으로 길게 뻗는 스트라이프 형상의 상부전극패턴을 형성하는 단계로 구성된다. 본 기술은, 종래와는 달리 하나의 단위 화소 영역을 4개의 화소개구부를 가지는 단위 화소 영역으로 형성함으로써 에이징 공정 중에 부분적인 버닝 픽셀이 발생하더라도 픽셀 결함이 드러나는 것을 방지할 수 있도록 한다. 이에 따라 제품으로서의 가치를 향상시킬 수 있게 된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- (주)대우전자
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-07-13
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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