일반기술

오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법

본 기술은 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 상에 형성되는 배선층을 산소 및 수분으로부터 보호하여 배선층의 산화에 의한 배선저항 증가를 방지할 수 있는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법에 관한 것이다. 일반적으로 투명유리기판 상에 오엘이디는 화소영역이 형성되어 있는 활성영역과 기판의 테두리부에 해당되며 화소영역의 상부전극 및 하부전극을 외부의 오엘이디 드라이버 IC와 전기적으로 연결시켜주는 배선층들이 형성되는 비활성영역으로 나누어진다. 이중 배선층은 화소영역의 하부전극에 전기적으로 연결되며 영상신호를 공급하는 데이터라인(data line)과 화소영역의 상부전극에 전기적으로 연결되며 셀 선택신호를 공급하는 스캔라인(scan line)으로 구성되는데 오엘이디를 구동하는 소비전력을 낮추고 또한 신호의 신호지연(time delay) 현상을 없애주기 위하여 일반적으로 저저항 금속을 이용하여 형성된다. 그런데, 이와 같은 배선층 설계의 경우 배선층을 구성하는 저저항 금속층이 외부로 노출되어 장시간 오엘이디를 구동시 배선층이 외부의 산소와 수분에 노출되어 산화(oxdation)되는 등 배선층이 손상되어 고유저항이 증가되는 문제가 있다. 본 기술의 목적은, 오엘이디 디스플레이 소자의 배선층을 산소나 수분으로부터 보호하여 배선층의 산화를 방지할 수 있는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법을 제공하는데에 있다.본 기술에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법은 기판 상에 하부전극패턴과 배선층을 형성하는 단계; 하부전극패턴과 배선층이 형성된 기판 상에 배선보호층을 형성하는 단계; 배선보호층 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 노광 및 현상공정을 거쳐 포토레지스트의 일부영역을 제거하여 하부전극패턴과 배선층과 오버랩 되는 배선보호층의 일부영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 노출된 배선보호층을 식각하는 단계; 및 포토레지스트 패턴을 제거해주는 단계로 구성된다. 본 기술에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법에 의하면 기판의 비활성영역에 형성되는 배선층을 산화막 또는 질화막 배선보호층으로 완벽하게 커버해줌으로써 배선층이 외부의 산소나 수분에 의해 산화되는 것을 방지할 수 있다. 이로서 배선층의 산화에 의한 전기저항의 증가를 방지하여 저소비전력으로도 오엘이디 디스플레이 소자를 구동하는 것이 가능해지며, 또한 전기저항 증가로 인한 신호지연 현상을 방지할 수 있다.