일반기술

오엘이디 소자 및 그 제조방법

본 기술은 오엘이디 소자에 관한 것이다. 종래의 오엘이디 소자는 기판 상에 절연막과 격벽이 적층된 구조를 취하고 있다. 여기서, 절연막과 격벽은 폴리머 계열의 재료를 사용하여 형성된다. 그런데, 폴리머 계열의 재료는 수분 등에 취약하고 구조 자체가 단단하지 못하다. 따라서, 이러한 폴리머 계열의 재료를 이용하여 절연막과 격벽을 형성한 종래의 오엘이디 소자는 구조적으로 불안정한 단점이 있다. 본 기술의 목적은, 구조적으로 높은 안정성을 유지할 수 있도록 한 오엘이디 소자를 제공하는 데에 있다.본 기술에 따른 오엘이디 소자는, 발광 영역과 패드 영역으로 구분되는 기판 상에 형성되는 하부전극패턴; 상기 하부전극패턴이 형성된 상기 기판의 상기 발광 영역 상에 형성되는 실리콘산화막패턴; 상기 실리콘산화막패턴 및 상기 하부전극패턴이 형성된 상기 기판의 상기 패드 영역 상에 형성되는 크롬패턴; 상기 실리콘산화막패턴 사이에 형성된 상기 하부전극패턴 상에 형성되는 발광유기물층; 및 상기 발광유기물층 상에 형성되는 상부전극를 포함하며, 상기 실리콘산화막패턴과 크롬패턴이 오버행 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 의하면, 실리콘산화막과 크롬을 이용하여 절연막과 격벽을 대신하는 구조를 형성함으로써, 폴리머 계열의 재료를 이용해 절연막과 격벽을 형성하는 기존의 오엘이디 소자에 비해 구조적 안정성이 높고 가격이 저렴한 오엘이디 소자를 제조할 수 있다. 이에 따라, 수분에 대한 저항성도 높아져 소자의 수명을 연장시킬 수 있으며, 실리콘산화막과 크롬만을 이용하여 절연막과 격벽을 대신하는 구조를 형성하므로 공정을 단순화할 수 있어 전체적인 수율을 향상시킬 수 있다.