일반기술

오엘이디 소자의 에이징 방법

본 기술은 오엘이디 소자에 관한 것이다. 종래에는 이러한 에이징 공정 후 양품, 불량품 판단의 근거로 패널 IV를 1회 측정하여 패널 특성을 파악하고, 그 후에 모듈화 과정을 수행했다. 하지만, 에이징 공정 후 패널 IV를 1회 측정하여 양품인 것으로 분류되더라도 모듈화 과정 후 라인 결함(Line Defect)으로 인한 진행성 불량이 발생하는 문제점이 있다. 따라서, 에이징 공정 후 양품, 불량품을 보다 확실히 판단할 수 있는 오엘이디 소자의 에이징 방법의 개발이 요구되고 있다. 본 기술의 목적은, 에이징 공정 후 양품, 불량품을 보다 확실히 판단할 수 있도록 한 오엘이디 소자의 에이징 방법을 제공하는 데에 있다.본 기술에 따른 오엘이디 소자의 에이징 방법은, 오엘이디 소자의 에이징 방법에 있어서, 상기 오엘이디 소자의 양품, 불량품을 판단하기 위하여 상기 오엘이디 소자에 소정 범위 내의 직류 전압만을 복수회 인가하는 것을 특징으로 한다. 상기 직류 전압은 -25V 내지 10V 범위 내의 직류 전압 값을 포함하며, 또한, 상기 직류 전압은 상기 오엘이디 소자에 -25V로부터 10V까지 순차적으로 인가되며, 또한, 0.1V 간격으로 인가되는 것이 특징이다. 본 기술에 따른 오엘이디 소자의 에이징 방법에 의하면, 오엘이디 소자에 소정 범위 내의 직류 전압 값만을 복수회 인가함으로써, 에이징 공정 후 양품, 불량품을 보다 확실히 판단할 수 있다. 이에 따라, 공정 시간을 단축시킬 수 있으며, 드라이브 IC의 소모량을 줄여 제조비용을 절감할 수 있다.