일반기술

오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법

본 기술은 오엘이디 디스플레이 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 오엘이디 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 종래의 종래기술에 따른 오엘이디 디스플레이 소자 중, 절연막, 격벽 등의 구조물을 이루는 재료로 보통 포토레지스트(Photo Resist), 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 고분자 재료 등이 있는데, 상기와 같은 재료들은 산소, 수분 및 기타 휘발성 가스를 포함하고 있으며, 시간이 지남에 따라 이러한 산소, 수분 및 기타 휘발성 가스는 외부로 빠져나가게 된다. 이에 따라, 절연막, 격벽 등의 구조물과 직접 접하고 있는 발광유기물층에 영향을 주어 화소 축소(Pixel Shrinkage) 및 다크 스팟(Dark Spot) 등의 현상을 초래함으로써 오엘이디 소자의 수명을 감소시키게 된다. 본 기술의 목적은, 오엘이디 소자를 이루는 재료로부터 발생하는 가스 및 외부로부터 유입되는 가스에 의한 영향을 최소화하여 오엘이디 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.본 기술에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조 방법은, 기판 상에 일 방향으로 길게 뻗는 스트라이프 패턴의 하부전극층을 형성하는 단계; 상기 하부전극층 상에 상기 하부전극층의 일부 영역을 노출시켜 화소 영역이 정의되도록 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 상기 하부전극층과 수직 교차하는 방향으로 역테이퍼 형상의 격벽을 형성하는 단계; 상기 절연막 및 격벽의 측면에 상기 절연막 및 격벽으로부터 발생하는 가스의 외부 방출을 차단하기 위한 제1 차단막을 형성하는 단계; 상기 화소 영역의 노출된 상기 하부전극층 상에 발광유기물층을 형성하는 단계; 상기 발광유기물층 상에 상기 격벽과 동일한 방향으로 상부전극층을 형성하는 단계; 및 상기 상부전극층이 형성된 상기 기판 전면에 걸쳐 형성되어 외부로부터의 가스 유입을 차단하는 제2 차단막을 형성하는 단계로 이루어져 있다. 본 기술에 의하면, 절연막 및 격벽에 제1 차단막을 형성함으로써, 절연막 및 격벽으로부터 발생하는 가스가 발광유기물층에 최소한의 영향을 끼치도록 하여 오엘이디 소자의 수명을 향상시킬 수 있다. 또한, 소자 외부에 제2 차단막을 형성함으로써, 상부전극층과 제1 보호막의 경계를 따라 침투하는 가스의 영향을 최소화하여 오엘이디 소자의 수명을 더욱 향상시킬 수 있다.