일반기술

오엘이디 소자의 패턴 결함 수정 방법

본 기술은 오엘이디 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 오엘이디 소자의 패턴 결함 수정 방법에 관한 것이다. 오엘이디 소자의 패턴 결함 수정 공정 중, 포토리소그래피 공정을 진행하는 데 있어서, 패턴 상에 스크래치(Scratch)성 결함이 발생할 수 있다. 이러한 스크래치성 결함은 라인 결함(Line Defect)으로 작용하므로 모듈 구동 시 데이터 라인 간, 스캔라인 간의 오픈(Open) 현상(발생된 셀 전체가 발광되지 않음)들을 통해 양품률의 저하를 가져오게 된다. 따라서, 패턴 형성 시 패턴 상에 발생하는 스크래치성 결함을 수정할 수 있는 방법이 요구되고 있다. 본 기술의 목적은, 패턴 형성 시 패턴 상에 발생하는 스크래치성 결함을 수정할 수 있는 오엘이디 소자의 패턴 결함 수정 방법을 제공하는 데에 있다. 본 기술에 따른 오엘이디 소자의 패턴 결함 수정 방법은, 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 집속이온빔 장비를 배치하고, 상기 집속이온빔 장비의 이온현미경 또는 3차원 광학현미경을 이용하여 상기 패턴 상에 발생한 결함을 관측하여 그 위치를 저장하고, 상기 관측된 패턴 상의 결함에 대한 3차원 형상의 이미지를 추출하는 단계; 상기 추출된 이미지로부터 오차 정보 데이터를 형성하는 단계; 상기 오차 정보 데이터를 단면 슬라이스로 나누어 상기 집속이온빔 장비에 입력하는 단계; 및 상기 저장된 위치에 집속이온빔 증착공정을 실시하여 상기 패턴 상에 발생한 결함을 수정하는 단계로 이루어 진다. 본 기술에 의하면, 집속이온빔 장비를 이용하여 패턴 형성 시 발생한 결함을 관측하여 그 위치를 저장하고, 결함에 대한 오차 정보 데이터를 형성한 후 단면 슬라이스로 나누어 집속이온빔 장비에 입력하여, 저장된 결함의 위치에 집속이온빔 증착공정을 실시함으로써 패턴 상에 발생한 결함을 수정할 수 있다. 이에 따라, 라인 결함(Line Defect)이 제거됨으로써 모듈 구동 시 데이터 라인 간, 스캔라인 간의 오픈(Open) 현상(발생된 셀 전체가 발광되지 않음)들을 개선하여 수율을 향상시킬 수 있다.