일반기술

전계효과트랜지스터 제조방법

본 기술은 전계효과 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 전계효과 트랜지스터 제조에 있어 활성층을 MOCVD법이나 이온주입법으로 형성하는데 MOCVD방법은 다원계 화합물 제조가 용이하고 다량 생산할 수 있는 장점은 있으나 증착한 에피층의 두께의 균일도 면에서 약하여 이 성장법을 이용하여 디지탈 집적소자를 제작하는 경우 집적소자의 중요한 특성인 문턱전압의 균일도 면에서 좋지 않아 전체적인 소자제작 수율이 낮아지고 장비가 고가인 단점이 있고, 이온주입법의 경우에는 활성층의 균일도 면에서는 MOCVD법 보다는 좋으며, 양산성에 있어서도 좋은 특성을 갖고 있다. 그러나 정교한 이온주입의 조정이 필요한 장비이므로 고가이여서 생산단가가 좋고, 또한 최근에는 소자에 있어서 활성층이 얇은 EFET(Enhencement Mode Field Effect Transistor)의 제작이 요구되어짐에 따라 이온주입에 있어서 최소에너지의 한계가 나타나는 문제점이 있었다. 본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 소자의 활성층을 화학기상 층착법이나 이온주입법이 아닌 확산법을 이용하여 형성함으로써 불순물의 급준성을 줄이고, 공정의 생산단가를 낮출 수 있도록 하는 전계효과 트랜지스터를 제공하는 것이다.이온주입법의 경우에는 활성층의 균일도 면에서는 MOCVD법 보다는 좋으며, 양산성에 있어서도 좋은 특성을 갖고 있다. 그러나 정교한 이온주입의 조정이 필요한 장비이므로 고가이여서 생산단가가 높고, 또한 최근에는 소자에 있어서 활성층이 얇은 EFET Enhencement Mode Field Effect Transistor)의 제작이 요구되어짐에 따라 이온주입에 있어서 최소 에너지의 요구되는 한계가 나타나는 문제점이 있었다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 소자의 활성층을 화학기상증착법이나 이온주입법이 아닌 확산법을 이용하여 형성함으로써 불순물분포의 급준성을 높이고, 공정의 생산단가를 낮출 수 있도록 하는 전계효과 트랜지스터를 제공하는 것을 목적으로 한다.이러한 목적을 수행하도록 본 기술은 소자의 활성층을 확산법으로 형성하는 것으로, 이전에도 실리콘의 경우 확산법이 이용되었으나 화합물 반도체에 있어서는 열에 약한 특성에 의하여 불순물확산법의 사용이 거의 되지 않았다.그러나 본 기술에서는 산화막과 질화막을 이용하여 불순물확산과 열분해 특성을 개선시켜 조자제작을 한다.