일반기술
반도체레이저다이오드
본 기술은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다.종래에는 반도체 레이저 다이오드의 활성층 성분조성이 균일하게 이루어져 있기 때문에 전압을 인가하면 활성층내의 전도대와 가전자대의 포텐셜 형태가 변화되어 전자와 정공의 분포가 분리되므로 레이저 발진을 좌우하는 광학이득이 감소되는 문제점이 있었다.본 기술은 반도체 레이저 다이오드의 활성층을 성분조성이 변화(graded)되는 활성층으로 사용하여 외부전압이 인가되더라도 활성층 중심에 전자와 정공이 집중되도록 한다.이중이종 접합구조를 활성층으로 사용하는 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 전자와 정공의 분포를 활성층 중심에 집중시키기 위해 상기 활성층을 성분조성이 변화되는 활성층으로 구성하는 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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