일반기술

반도체레이저다이오드제조방법

본 기술은 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, InGaAlP 재료를 이용한 반도체 레이저 제조시 각 층간의 계면에 발생하는 결함을 최소화시키기 위한 것이다.본 기술을 이용하면 연속되는 MOCVD 성장시 표면에 노출되는 층의 5족 원소를 한가지원소로 유지함으로써 각층 사이의 계면에 발생하는 결함을 얻을 수 있으므로 신뢰성이 우수한 반도체 레이저를 제조할 수 있으며, 클래드층을 이루는 InGaAlP층 위에 전류차단층 및 캡층을 이루는 GaAs를 상장할 때 발생할 수 있는 계면의 거칠음(Roughness)을예방할 수 있다.따라서 반도체 레이저 다이오드의 계면결함을 감소시킴으로써 수명을 증가시키고 신뢰성 및 특성을 향상시킴으로써 레이저 다이오드의 응용영역을 확장시킬 수 있게 된다.제1도전형의 기판 위에 버퍼층, 제1도전형 클래드층, 활성층, 제2도전형의 1차 클래드층, 식각저지층, 제2도전형의 2차 클래드층, 전류주입층을 차례로 성장시켜 더블헤테로 구조를 형성하는 단계와, 더블헤테로 구조를 식각저지층까지 선택적으로 식각하여 릿지를 형성하는 단계 릿지가 형성된 웨이퍼상에 전류차단층을 성장시키는 단계, 전류차단층을 선택적으로 식각하여 릿지상에 전류주입영역을 형성하는 단계, 결과물 전면에 캡층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.