일반기술

박막 EL소자의 제조방법 및 그 구조

본 기술은 박막 EL소자(Electro Luminescence)소자에 관한 것으로, 특히 소자의 안정성을 향상시키며 휘도를 증가시키는데 적합한 박막 EL소자의 제조방법 및 그 구조에 관한 것이다.종래 박막 EL소자는 절연성 투명기판위에 ITO(Indium Tin Oxide)투명전극을 증착하고, 광식각법을 이용하여 원하는 폭으로 ITO투명전극을 선에칭하고, ITO 투명전극위에 제 1 절연층과 형광체(ZnS ; 황화아연)에 희토류를 미량 함유하는 발광층 및 흑화막(PrMnO3 ), 제 2 절연층을 전자빔 증착법 또는 스퍼터링(Sputtering)법을 이용하여 순차적층하고, 제 2 절연층상에 Al(알루미늄)전극을 열증착 또는 스퍼터링법으로 증착한 후, 광식각법을 이용하여 투명전극와 수직이 되도록 선에칭하여 Al전극을 형성한 구성으로 되어있다.본 기술의 목적은 투명기판상에 ITO투명전극을 스퍼터링법으로 형성한 후 광식각법을 이용하여 선에칭하여 ITO투명전극을 형성하는 공정과, 공정 후 실리콘 타겟을 이용하여 리엑티브스퍼 터링법으로 제 1 절연층을 형성하는 공정과, 공정 후 형광체(ZnS)에 희토류를 미량 함유하는 발광층을 전자빔 증착법 또는 스퍼터링법으로 증착하는 공정과, 공정 후 흑화막(PrMnO3 )을 증착한 후 스핀코터를 이용하여 포토레지스터막을 코팅하고 노광후 포토레지스터막을 원하는 형상으로 현상한 후 스퍼터를 이용하여 스퍼터 에칭으로 발광층과 산화막을 에칭하는 공정과, 공정 후 흑화막을 발광층과 흑화막의 두께 만큼 다시 증착하는 공정과, 공정 후 포토레지스터막을 제거하고 제 2 절연층을 실리콘 타겟을 이용하여 레엑티브 스퍼터링법으로 증착하는 공정 및 공정후 제 2 절연층위에 Al전극을 열증착 또는 스퍼터링법으로 증착한 후 ITO투명전극과 수직이 되도록 광식각법을 이용하여 Al전극을 선에칭하는 공정을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 박막 EL소자의 제조방법과, 투명기판 상에 선에칭하여 형성한 ITO투명전극과, 이 ITO투명전극상에 증착 형성한 제1 절연층과, 제 1 절연층상에 증착한 발광층과, 이 발광층상에 증착하여 형성한 흑화막과, 발광층과 흑화막의 스퍼터에칭부분에 다시 증착한 흑화막과, 흑화막상에 증착형성한 제 2절연층과, 이 제 2 절연층상에 증착한 후 ITO투명전극과 수직이 되도록 선에칭하여 형성한 Al전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 박막 EL소자의 구조가 제공된다.