일반기술

Evanescent형 반도체 광증폭기 칩 기술

(1) 개요도파로간의 내부굴절률 차이에 의한 내부반사 문제를 제거한 Evanescent형 반도체 광증폭기 칩 기술임 (2) 목적 및 필요성Evanescent형 반도체 광증폭기 기술은 정보통신부 선도기반기술개발 사업으로 2001년 11월 1일부터 2006년 10얼31일 종료한 “반도체 기반 완전광 3R 재생기 모듈” 과제에서 초고속 광신호 처리용으로 개발된 광소자로 Evanescent형 구도 채택으로 인한 내부반사율 저하에 따른 고속 광신호 처리용 광부품이나 최근 많은 관심을 가지고 있는 WDM-PON용으로의 활용 가능이 있어 기술이전을 통하여 완성도를 확보하여 상용화 시도를 통해 침체된 국내 광통신 산업 활성화에 기여하고 다가올 시장 활성기에 대비 국제적 기술우위를 점하는데 목적이 있다.(1) 활용방안 및 기대성과-광통신 네트워크의 in-line 증폭기 -Receiver의 pre-Amp -WDM-PON용 광부품 (2) 기술이전범위① Evanescent형 반도체 광증폭기 설계 기술 -광소자 칩 제작을 위한 설계도 ② Evanescent형 반도체 광증폭기 공정 기술 -광소자 칩 제작을 위한 공정 흐름도 ③ Evanescent형 광증폭기 측정 및 특성 평가 기술 - 반사형 광증폭기 특성 평가를 위한 측정 항목 및 평가 방법 ④ Evanescent형 광증폭기 패키징 기술 -TO CAN를 이용한 모듈 패키징 기술