일반기술

2.5Gbps급 1.55um 양자점 레이저 칩

(1) 개요1.5um 양자점 에피웨이퍼 기술, 양자점 레이저 칩 설계 및 제작, 2.5Gbps 급 양자점레이저 칩 특성 측정 및 신뢰성 평가 (2) 목적 및 필요성본 기술은 정통부 선도기반 기술 연구 과제인 “광통신용 반도체 양자점 레이저다이오드 기술”의 내용 중 일부인 “2.5Gbps급 1.5um 양자점 레이저” 연구 개발과 관련하여 본 연구에서 개발한 실험시제품을 상업화하고, 본 소자 관련 핵심 기술인 “양자점 형성 및 양자점레이저 칩 제작기술”을 산업체에 이전시켜, 이를 응용한 관련 소자의 개발을 활성화 시키기 위해, 관련 전문 업체에 해당 관련 연구 개발한 기술의 이전을 필요로 함. (3) 활용방안 및 기대성과- 본 기술을 이용하여 활용할 수 있는 분야는 직접적으로 양자점 광증폭기, 양자점 광검출기 뿐만 아니라, 다양한 형태와 구조로 응용되어 태양전지,센서등에 응용되어 활용될 수 있음.(1) 기술이전범위①1.5um 양자점 레이저 소자 설계 기술 -양자점을 포함한 활성층 설계 기술 -낮은 임계전류치를 가지는 소자 설계기술 -양자점 레이저 소자에서의 클래드 설계 기술 ②1.5um 양자점 레이저 칩 제작 기술 -1.5um 양자점 레이저 칩 제작 공정 기술 .광도파로 건식 습식 식각 기술 .AR/HR 코팅 기술 -1.55um DFB 레이저용 회절격자 제작 기술 .포토리소그래피를 이용한 회절 격자의 제작 기술 .AFM 을 이용한 제작된 회절 격자 평가 기술 -리지구조 FP 양자점 레이저 칩 제작 기술 .건식 식각을 이용한 광도파로 제작 기술 .습식 식각을 이용한 고효율 클래드층 제작 기술 .Polymide 공정 기술 .트랜치 제작 기술 -1.55um 양자점 레이저 에피웨이퍼 제작 기술 .고품질 고밀도의 양자점 성장 기술 .무결함 양자점 적층 기술 .양자점 레이저 에피웨이퍼의 에피 특성 분석 기술 ③1.5um 양자점 레이저 측정 및 평가 기술 -1.55um 에피웨이퍼 측정 기술 .AFM 을 이용한 양자점 특성 분석 기술 .PL 을 이용한 양자점의 광학적 특성 분석 기술 .브로드 스트라입 구조를 이용한 양자점 에피 웨이퍼 특성 분석 기술 -리지구조 FP 양자점 레이저 칩 특성 측정기술 특성 .칩바 형태의 양자점 레이저 측정 기술 -2.5Gbps급 직접변조 특성 측정기술