일반기술

상변화 메모리 어레이 제작기술

Mobile用 CMOS Embedded PRAM Chip 개발을 목표로 하는 설계업체는 PRAM 설계기술을 보유하고 있으나 이의 개발을 위해서는 상변화 메모리 소자 및 공정기술이 반드시 필요하다. ETRI기능성전자소자팀은 정보통신부의 '나노급 상변화 정보저장 기술개발' 과제 수행을 통해 축적된 상변화 메모리 소자 및 공정기술을 모두 보유하게 되었기 때문에, 기능성전자소자팀은 설계업체에 상변화 재료 평가, 재료 설계 및 성막 기술, 셀 제작 공정기술을 활용하여 메모리 어레이 테스트 비클 시제품을 제작하고 관련 평가기술을 제공하고자 한다.Mobile用 CMOS Embedded PRAM Chip 개발 및 상용화를 목표로 하는 설계업체는PRAM 설계 기술을 보유하고 있으나 상용화를 위해서는 상변화 메모리 소자 및 공정기술이 반드시 필요하다. ETRI 기능성전자소자팀은, 정보통신부의 “나노급 상변화 정보저장 기술 개발” 과제 수행을 통해 축적된 상변화 메모리 소자 및 공정기술을 모두 보유하게 되었기 때문에, 기능성전자소자팀은 해당 설계업체에 상변화 재료 평가, 재료 설계 및 성막 기술, 셀 제작 공정기술을 활용하여 메모리 어레이 테스트 비클 시제품을 제작하고 관련 평가기술을 제공하고자 한다.CMOS에 Embedded되는 기존의 Memory로는 Flash 및 SRAM등이 대표적인 셀이다. Flash의 경우 Low Speed 문제, SRAM의 경우 휘발성 문제 때문에, 이들 셀들은 제한적인 용도로 Embedded되어 왔다. 따라서 SRAM의 High Speed 및 Flash의 비휘발성이라는 장점만을 융합한 통합 메모리로 PRAM이 최근 각광받고 있으며, ETRI 기능성전자소자팀은 최근 축적된 상변화 메모리 소자 및 공정 기술을 보유하게 되었다. 기능성전자소자팀에서 보유중인 상변화 메모리 소자 및 공정기술을 설계업체에 이전함으로써, 해당업체에 의해 CMOS Embedded PRAM Chip이 조기 개발 및 양산 된다면, 휴대폰 및 디지털카메라로 대표되는 Mobile 시장 및 Smart Card등의 Security 시장에 대한 파급효과는 가히 폭발적이라 판단된다. 또한 ETRI는 정부출연연구기관으로서, 개발된 기술의 상업화에 크게 기여하기 때문에 국가발전에 일익하고, 또한 ETRI 기반기술연구소 홍보에도 큰 도움이 되리라 판단된다.* 기술이전 범위를 세부 모듈별로 분류 ① 메모리 셀 파라미터 – 기술문서 ② 메모리 어레이 테스트 비클 – 시제품