일반기술

AlGaN/GaN HFET 에피택시 성장 기술

GaN기반 반도체 에피택시 성장 기술 및 HFET 소자기술은 '차세대 무선 인터넷을 위한 고출력 고주파 GaN 전자소자'과제에서 획득한 결과물로서, 기술개발의 결과를 상용화하여 관련 산업 활성화에 기여하고 국제적 기술 우위를 점하는 데 목적이 있음.GaN 기반 반도체 에피택시 성장 기술 및 HFET 소자 기술은 “차세대 무선 인터넷을 위한 고출력 고주파 GaN 전자소자” 과제에서 획득한 결과물로 기술 개발의 결과를 기술이전을 통하여 상용화를 하여 관련 산업 활성화에 기여하고 다가올 시장 활성기에 대비 국제적 기술우위를 점하는데 목적이 있음.개발된 고출력 고주파 GaN 전자소자는 무선 통신 분야의 이동, 위성 방송 시스템용 고출력, 고주파 송신 모듈 개발에 활용할 수 있으며, 정보통신 분야 외에도, 항공기 및 자동차 등 각종 엔진의 작동기 (actuator) 및 감지 장치 (sensor)로써 응용이 가능한 고온 동작 소자, 산업 및 발전소용 각종 전원 장치 등의 고출력 소자에도 응용될 수 있다. 현재는 초기 단계로 새롭게 대두되는 시장에서 기술적 차별성 및 조기에 시장을 선점 할 수 있어 경제적 파급효과가 매우 클 것으로 예상되고 향후 관련 기술 개발에 선도적인 역할을 기대할 수 있다.1. 고품위 AlGaN/GaN 반도체 성장 기술 -전자소자용 에피택시 (AlGaN/GaN 다층 구조) 및 에피 설계서 . Al 조성비 > 35% . 상온전자이동도 ~ 1,000 cm2/Vs . 전자밀도> 1x1013/cm2