일반기술

저전압 10bit/100MSps CMOS 신호변환기 및 관련 아날로그 IP 기술

플렛폼 기반 IT Soc용 나노급 저전압(1.2V 이하) ADC 및 관련 아날로그 IP 설계기술로서, 저전압 앰프, 기준전압 발생기, ADC, Clock generator, ESD I/O 등의 기능회로를 포함하고 있음. 휴대형 기기 및 저전력특성의 시스템 구현에 필요한 SoC 개발을 위해 130nm CMOS 소자를 이용하여 1.2V이하에서 최대 동작 주파수 100MHz의 저전압/저전력 동작이 가능한 설계가 특징임.나노소자기반 저전압(1.2V이하) 신호변환기 및 관련 아날로그 IP 아날로그 IP 설계기술은 3세대이상 이동통신 시스템 등 멀티미디어 서비스를 위한 고성능/저전력/고집적 IT-SoC를 구현함에 있어 플렛폼 기반 핵심 IP 기술로서 이 분야의 기술선진국도 기술개발 중에 있으며 이에 대한 기술전수나 공개를 극히 회피하고 있는 실정임. 따라서 국내 독자기술로 개발된 나노소자 기반 저전압 동작이 가능한 고속/고해상도 신호변환기(ADC) 및 관련 아날로그 IP 설계기술을 조기에 국내의 집적회로 파운드리 서비스사 및 관련 업체에 전수하여 130nm 이하급의 아날로그 IP를 자체 확보 후 관련 시스템의 국제 경쟁력 확보에 기여하고자 함. 130nm 이하급의 저전압 신호변환기기술 및 아날로그 IP 기술의 자체 확보를 통한 원가 및 기술료 절감, 필요 물량의 자유로운 공급 등을 위해서, 연구원(ETRI)에서 개발된 130nm 저전압 10bit/100MHz CMOS 고속/고해상도 신호변환기의 기술 전수가 시급히 필요함본 신호변환기 및 관련 아날로그 IP의 설계기술은 3세대 이상 이동통신 및 방송 등 멀티미디어 서비스를 위한 IT 시스템의 핵심 아날로그 부품 기술로서 플렛폼 기반 IT-SoC 개발을 위한 아날로그 IP로 사용. 즉, 순수 국내기술을 이용한 나노급 IT-SOC를 상용 제품화함으로써 이동통신 멀티미디어 서비스 단말기 시스템 등의 국산화 및 소형화가 가능함. 또, 고속 저전압/저전력 CMOS 아날로그회로의 설계기술을 확보함으로써 다양한 고성능의 통신용 ASIC 개발에 응용 가능하게 하는 등 국내 아날로그 집적회로 기술력의 향상과 함께 센서, MEMS 등 유사 통신용 아날로그 신호구동 및 인터페이스 칩 개발에 활용할 수 있음① 저전압 고속/고해상도 신호변환기와 관련 아날로그 IP의 구조 및 회로 기술 -10bit/100MHz CMOS ADC(analog-to-digital converter) 구조 기술 -10bit/100MHz CMOS ADC(analog-to-digital converter) 회로설계 기술 -저전압(1.2V) CMOS 앰프 회로 설계기술 -저전압(1.2V) CMOS 고속 S/H 회로 설계기술 -저전압(1.2V) CMOS 기준전압 발생기(BGR) 회로 설계기술 -CMOS Clock Generation 회로 설계기술 -저전압 I/O (ESD 포함) 회로 기술 ② 저전압 고속/고해상도 신호변환기와 관련 아날로그 IP의 도면설계 기술 -10bit/100MHz CMOS ADC(analog-to-digital converter) 도면설계 기술 -저전압(1.2V) CMOS 앰프 회로 도면설계 기술 -저전압(1.2V) CMOS 고속 S/H 회로 도면설계 기술 -저전압(1.2V) CMOS 기준전압 발생기(BGR) 회로 도면설계 기술 -CMOS Clock Generation 회로 도면설계 기술 -저전압 I/O (ESD 포함) 회로 도면설계 기술 ③ 저전압 고속/고해상도 신호변환기와 관련 아날로그 IP의 시험기술 -10bit/100MHz CMOS ADC(analog-to-digital converter) 시험 기술 -저전압(1.2V) CMOS 기준전압 발생기(BGR) 회로 시험 기술 -CMOS Voltage Reference 회로 시험 기술 -저전압 I/O (ESD 포함) 회로 시험 기술