일반기술

WDM-PON용 R-SOA 칩 기술

(1) 개요WDM-PON용 반사형 광증폭기 칩 기술이전 (2) 목적 및 필요성WDM-PON용 반사형 광증폭기 기술은 정보통신부 선도기반기술개발 사업으로 2001년 11월 1일부터 현재까지 수행되고 있는 “반도체 기반 완전광 3R 재생기 모듈”과제에서 추진중인 반도체 광증폭기 과제의 결과물로 기술 개발의 결과를 기술이전을 통한 상용화 시도를 통해 침체된 국내 광통신 산업 활성화에 기여하고 다가올 시장 활성기에 대비 국제적 기술우위를 점하는데 목적이 있다.(1) 활용방안 및 기대성과침체된 광통신 시장의 활로를 열어줄 것으로 예상되는 광가입자망 구축에 선진 각국에서 많은 관심과 투자가 이루어 지고 있는 시점에서 광가입자망 구축의 핵심 기술인 PON 방식중 KT등 국내업체에서 WDM-PON방식 FTTH구축에 많은 연구를 수행하고 있는 있다. 본 기술이전 기술인 반사형 반도체 광증폭기는 WDM-PON방식에서 loop-back 형태로 활용 가능하여 많은 기술적 장점을 가지고 있다. 본 기술이전에 적용된 반사형 광증폭기 모듈을 FTTH구축에 활용한다면 브로드밴드 영역에서 선두위치를 점하고 있는 한국의 지위를 더욱 확실하게 하는 것은 물론이고 관련 시장에서 기술적 차별성 및 조기에 시장을 선점 할 수 있어 경제적 파급효과가 매우 클 것으로 예상되고 향후 관련 기술 개발에 선도적인 역할을 기대할 수 있다. (2) 기술이전범위① 반사형 광증폭기 공정 기술 및 칩 제공 - 반사형 광증폭기 칩 제작을 위한 공정 흐름도 - 반사형 광증폭기 설계서 - 반사형 광증폭기 칩 제공(30개) ② 반사형 광증폭기 측정 및 특성 평가 기술 - 반사형 광증폭기 특성 평가를 위한 측정 항목 및 평가 방법 - 특성평가 작업 지침서 제공