일반기술

화합물반도체 구조물

본 발명은 확산물질층, 반도체 확산층 및 반도체 확산배리어층을 구비하는 화합물반도체 구조물에 관한 것으로, 반도체 확산배리어층은 반도체 확산층과 동일한 화합물 반도체 구성 물질을 포함하고 확산속도가 서로 다르게 구성되어 상기 확산물질층으로부터 확산되는 원소의 확산속도가 상기 반도체 확산배리어층에서 감소되도록 하는 화합물반도체 구조물을 제공하여 화합물 반도체 소자의 제조공정 중에 채용가능한 확산배리어층을 제공하며, 반도체 물질로 구성되는 확산배리어층을 구비하는 화합물반도체 구조물을 제공한다본 발명은 화합물반도체 구조물에 관한 것으로, 본 발명의 화합물 반도체 구조물은 확산 물질층, 반도체 확산층 및 반도체 확산배리어층을 구비하여 구성하고, 반도체 확산배리어층은 반도체 확산층과 동일한 화합물 반도체 구성 물질을 포함하고 확산속도가 서로 다르게 구성된다.본 발명에 의하면, 화합물 반도체 소자의 제조공정 중에 채용가능한 확산배리어층을 제공할 수 있게 되고, 이 확산배리어층은 화합물 반도체 물질로 구성되어 손쉽게 확산을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 그 결과 확산에 의한 p-n 접합의 위치를 보다 정밀하게 조절할 수 있다.