일반기술

녹색 LED 칩 제조기술

파장 525 nm 부근의 녹색 LED를 제조하기 위한 아래와 같은 에피성장 기술 및 칩 제조공정 기술을 지도함. - 고 In 조성을 위한 양자우물층과 장벽층의 에피성장 파라미터 설정- 내부양자효율을 증대시키기 위한 활성층 설계- ITO를 이용한 npn tunnel hunction - PSS 를 이용한 에피성장 방법■ 기술의 특징 -Epi 기술 ․ 고농도 ln 조성 ․ Uniform ln 조성(수직방향) ․ 패턴된 기판(PSS) 에피기술 - 칩 공정 ․ 산화물 투명전극 (ITO, ZnO) ․ 외부양자효율~10%(노멀칩) ․ 발광파장 : 520nm~535nm■ 기술개발상태 ○에피성장 ․ MQW In 조성 제어 기술 - 고농도 In 주입을 위한 성장 조건 확보 - Uniform In 조성 (수직방향), QW 성장속도 최적화 - Well capping 기술 ․ 내부양자효율 개선 기술 : 비대칭 QW 기술 ․ 패턴된 기판(PSS) 에피기술 ○ 칩 공정기술 ․ 식각기술 : 사파이어 식각기술, GaN 식각기술 ․ 투명전극 : 산화물 투명전극(ITO, ZnO) 증창 및 열처리 기술