일반기술

저 접촉 저항을 갖는 부정규형의 고전자 이동 트랜지스터 소자용 옴 전극의 제조 방법

본 발명은 GaAs/Al x Ga 1-x As/InGaAs(x=0.1∼0.5)로 구성된 PHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) 반도체 소자용 옴(ohm) 전극의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 종래의 Ge/Pd/PHEMT 구조 위에, As의 외부 확산(off-diffusion)을 억제시킴으로써 열 안정성을 향상시키는 확산 방지막인 Ti 층과 접촉저항(contact resistance)을 낮출 수 있는 Au 층을 추가적으로 포함하도록 제조함으로써 접촉저항이 낮으면서도 열 안정성이 향상되어 종래의 Ge/Pd/PHEMT에 비해 50배 더 작은 최소 접촉저항을 가진 옴 전극을 제조할 수 있다. GaAs/Al x Ga 1-x As/InGaAs(이때, x는 0.1 내지 0.5의 수이다)로 구성된 PHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) 반도체 소자용 옴 전극의 제조방법에 있어서, PHEMT 기판 위에 Pd, Ge, Ti 및 Au 층을 차례로 증착시켜 Au/Ti/Ge/Pd/PHEMT의 구조로 금속 박막층을 형성시킨 후, 이를 380 내지 540℃ 범위의 온도 및 90% N 2 , 10% H 2 분위기에서 급속 열처리하는 것을 특징으로 하는 옴 전극의 제조방법.