일반기술

실리콘 기판상에 에피텍셜 다이아몬드 박막의 형성방법

본 발명은 마이크로웨이브 플라즈마 화학증착법을 이용하여 실리콘 기판상에 고배향성을 갖는 에피텍셜 다이아몬드 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. ; 본 발명의 방법은 기판으로서 미스컷이 1°∼30°범위인 Si〈111〉기판을 이용한다. 그리고, 반응 가스로서는 수소증의 메탄농도가 0.6%이하가 되도록 수소와 메탄을 이용한다. 증착중, 기판은 850 내지 1000℃의 온도로 유지되고 반응조는 10 내지 50 토르(Torr)의 압력으로 유지된다. (가) 미스컷이 1°내지 30°범위인 Si〈111〉기판을 적용하는 단계와; (나) 상기 기판을 마이크로웨이브 화학 증착 시스템의 반응조내에 장입하는 단계와; (다) 상기 반응조내에, 수소와 메탄을 반응가스로서 도입하는 단계와; (라) 상기의 반응조내에 마이크로웨이브 파워를 가하여 상기 기판상부에 플라즈마를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 에피텍셜 다이아몬드 박막을 형성하는 방법.