일반기술

저온 팔라듐/게르마늄 온 전극을 이용한 자기정열 게이트 트랜지스터 소자의 제조방법

본 발명은 저온 Pd/Ge 옴 전극을 이용한 자기 정렬 게이트(self-aligned gate) 트랜지스터 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, GaAs 또는 InP 층을 포함하는 기판을 갖는 트랜지스터 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 게이트 전극 제작 후, Pd와 Ge를 차례로 증착하고 열처리하여 옴 전극을 제작하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 방법에 따르면 보다 미세한 패턴으로 자기 정렬 게이트 전극을 제작할 수 있다. GaAs 또는 InP 층을 포함하는 기판을 갖는 트랜지스터 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 소자 분리를 위한 메사 에칭 공정을 실시하는 단계; 게이트 패턴을 형성시키고 게이트 리쎄스 에칭을 한 후, Ti, Pt, Au를 차례로 증착하여 게이트 전극을 형성시키는 단계; 및 Pd와 Ge를 차례로 증착시킨 후 열처리하여 소오드-드레인 옴 전극을 제작하는 단계를 차례로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.