일반기술

부정형 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법

본 발명의 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터는, 반도체 기판상에 버퍼층, GaAs 스페이서층, lnGaAs 채널층, AlGaAs 스페이서층, AlGaAs 도우너층 및 GaAs 캡층이 순차적으로 형성된 구조로서, 상기 GaAs 캡층은 불순물 도핑이 이루어지지 않은 진성이고, 상기 GaAs 캡층상에 Au/Ni/Ge/Au 금속 박막층으로 이루어지며, 상기 GaAs 캡층과 각각 오믹 접촉 저항을 이루는 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 점에 그 특징이 있다. 반도체 기판상에 버퍼층, GaAs 스페이서층, lnGaAs 채널층, AlGaAs 스페이서층, AlGaAs 도우너층 및 GaAs 캡층이 순차적으로 형성된 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터에 있어서, 상기 GaAs 캡층은 불순물 도핑이 이루어지지 않은 진성이고, 상기 GaAs 캡층상에 Au/Ni/Ge/Au 금속 박막층으로 이루어지며, 상기 GaAs 캡층과 각각 오믹 접촉 저항을 이루는 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터.