일반기술

단일 전압형 PHEMT

본 발명은 휴대용 단말기에 구비되는 전력 증폭용 소자에 관한 것으로서, 소형 경량화 추세의 휴대용 단말기의 전력 증폭 소자에 PHEMT를 사용하기 위해서, PHEMT를 3개의 전자 공급층과 그 전자 공급층 사이에 각각 전도층을 삽입한 이중 전도층 구조의 단일 전압형 PHEMT를 제공한다. 즉, 본 발명은 반절연성 기판(110)의 상부 에 형성된 완층층(120), 제 1 전자 공급층(130), 제 1 전도층(140), 제 2 전자 공 급층(150), 제 2 전도층(160), 제 3 전자 공급층(170), 공핍층(180), 표면층(190) 이 순차적으로 적층되고, 상기 표면층(190)의 일부가 제거되어 상기 공핍층(180)의 일부가 노출되고, 상기 노출된 공핍층(180)의 상부에는 게이트 전극(210)이 형성되며, 상기 게이트 전극(210)의 양측에 잔류하는 상기 표면층(180)의 상부에는 소오스 또는 드레인 전극으로 사용되는 오믹 전극(200)이 형성된 구조로 이루어지는 단일 전압형 PHEMT를 제공함으로써, 디지탈 변조 방식의 휴대용 단말기에 사용하면, 휴대용 단말기를 소형 경량화 시킬 수 있고, 제조 원가를 절감시킬 수 있다. 반절연성 기판(110)의 상부에 형성된 완충층(120), 제 1 전자 공급층(130), 제 1 전도층(140), 제 2 전자 공급층(150), 제 2 전도층(160), 제 3 전자 공급층(170), 공핍층(180), 표면층(190)이 순차적으로 적층되고, 상기 표면층(190)의 일부가 제거되어 상기 공핍층(180)의 일부가 노출되고, 상기 노출된 공핍층(180)의 상부에는 게이트 전극(210)이 형성되며, 상기 게이트 전극(210)의 양측에 잔류하는 상기 표면층(180)의 상부에는 소오스 또는 드레인 전극으로 사용되는 오믹 전극(200)이 형성된 구조로 이루어지는 단일 전압형 PHEMT.