일반기술

스테인레스 스틸 표면상에 크롬산화막을 형성하는 방법

본 발명은 스테인레스 스틸 표면상에 크롬산화막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, a) 스테인레스 스틸 기재를 진공로 내부에 위치시키고, 상기 진공로의 압력을 적어도 2×10 -7 내지 3×10 -7 Torr에 이르도록 배기한 후 10 내지 15℃/min의 승온속도로 450 내지 600℃로 가열하는 단계; b) 상기 온도에서 10 내지 20분 동안 가열하여 스테인레스스틸표면에 존재하는 이물질을 제거하면서 스테인레스 스틸 기재 내에 존재하는 크롬원소를 표면으로 석출시키는 단계; 및 c) 상기 진공로의 온도를 그대로 유지하면서 산소를 주입하여 산소 분압이 1×10 -9 내지 1×10 -6 Torr가 되도록 하여 상기 표면상에 석출된 크롬원소와 산소를 반응시켜 크롬 산화막(Cr 2 O 3 )을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의해 형성되는 크롬산화막은 치밀하고 매끄러워 산화에 대한 저항력, 내흡착성, 수소의 확산 및 투과에 대한 저항성이 크게 증대된다. 스테인레스 스틸 기재상에 크롬산화막을 형성하는 방법에 있어서, a) 스테인레스 스틸 기재를 진공로 내부에 위치시키고, 상기 진공로의 압력을 적어도 2×10 -7 내지 3×10 -7 Torr에 이르도록 배기한 후 10 내지 15℃/min의 승온속도로 450 내지 600℃로 가열하는 단계; b) 상기 온도에서 10 내지 20분 동안 가열하여 스테인레스스틸표면에 존재하는 이물질을 제거하면서 스테인레스 스틸 기재 내에 존재하는 크롬원소를 표면으로 석출시키는 단계; 및 c) 상기 진공로의 온도를 그대로 유지하면서 산소를 주입하여 산소 분압이 1×10 -9 내지 1×10 -6 Torr가 되도록 하여 상기 표면상에 석출된 크롬원소와 산소를 반응시켜 크롬 산화막(Cr 2 O 3 )을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.