일반기술

반응성 덴드리머와 스타버스트 화합물을 이용한 유전재료 박막 및 박막 제조방법

본 발명은 저유전재료 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1의 유기치환체를 갖는 실란화합물(organosilane)을 말단으로 갖는 덴드리머(dendrimer) 또는 스타버스트(starburst)를 포함하는 저유전재료, 상기 저유전재료를 합성하는 방법 및 상기 저유전재료를 이용하여 초저유전박막을 제조하는 방법을 제공하고 있다:; [화학식 1]; (R 1 O) m (R 2 ) n SiR 3 .; 상기 식에서, m+n=3이고 m은 1, 2 또는 3이며, R 1 과 R 2 는 서로 독립적으로 C 1 -C 10 지방족 알킬 그룹이며, R 3 는 비닐, 할로겐, 알콕시, 니트로, 니트릴, 아민, 아크릴옥시 또는 에폭시기 치환체를 말단으로 갖는 탄화수소이다. 하기 화학식 1을 갖는, 3-아크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필 메틸디메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필 디메틸메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필 메틸비스(트리메틸실록시) 실란, 3-글리시독시프로필 트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필 메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필 메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필 디메틸에톡시실란 및 3-글리시독시프로필 메틸비스(트리메틸실록시)실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 유기치환체를 갖는 실란화합물을 말단으로 갖는 폴리아미도아민 또는 폴리프로필렌이민 덴드리머, 또는 폴리(ε-카프로락톤) 스타버스트 및 테트라알콕시실란을 99:1 내지 1:99의 중량비로 포함하는 집적회로의 저유전 박막 형성용 조성물. [화학식 1] (R 1 O) m (R 2 ) n SiR 3 . 상기 식에서, m+n=3이고 m은 1, 2 또는 3이며, R 1 과 R 2 는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 이소프로필 및 이소부틸기 중에서 선택되는 어느 하나이고, R 3 는 비닐, 할로겐, 알콕시, 니트로, 니트릴, 아민, 아크릴옥시 또는 에폭시기 치환체를 말단으로 갖는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.