일반기술

유기금속 화학증착법에 의한 레이저용 산화아연계 박막의 제조방법

본 발명은 유기금속 화학증착법에 의한 레이저용 산화아연계 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 아연-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키면서 산소-함유 기체 또는 유기물의 주입라인을 기재 표면 중앙 지점으로부터 1 내지 5cm 앞에 위치시키고, 1 내지 10torr의 압력, 250 내지 700℃의 내부온도 및 냉벽(cold wall) 반응기 조건하에서 기재 위에 막을 성장시키는 것을 포함하는 본 발명에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 우수한 광학 특성을 갖는 레이저용 산화아연계 박막을 제조할 수 있다. 1 내지 10torr의 압력, 250 내지 700℃의 내부온도 및 냉벽(cold wall)으로 유지된 반응기에서 아연-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 유기물과 기재를 접촉시킴을 포함하며, 이때 산소-함유 기체 또는 유기물이 별개의 라인을 통해 반응기에 주입되고 각 주입라인 말단이 기재 표면 중앙지점으로부터 1 내지 5cm 이격되어 위치된 것을 특징으로 하는, 유기금속 화학증착법에 의한 레이저용 산화아연계 박막의 제조방법.

기술정보

기술분류
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
보유기관
포항공과대학교
기술유형
일반기술
등록일
2007-08-10
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

정보 없음

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