일반기술

질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법

본 발명은 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자는 기판; 상기 기판 상부에 형성된 n형 또는 p형의 GaN계 III-V족 화합물 반도체층과, 상기 GaN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층; 및 상기 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성되며, 팔라듐(Pd) 함유층과 니켈(Ni) 함유층이 순차적으로 적층되어 이루어지고, 패턴화된 오믹 전극;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 한다. 본 발명의 Pd/Ni 오믹 전극은 열처리시 형성된 NiO가 Pd 갈라이드의 형성을 촉진시켜 GaN계 반도체층과 전극과의 접촉 계면에 갈륨 빈자리(gallium vacancy: V Ga )가 생성되면서 접촉 저항이 보다 낮아지며, 계속된 Pd 갈라이드의 생성과 NiO의 확산 방지막으로서의 역할로 인해 전극이 열적으로 안정하다. 따라서 이러한 Pd/Ni 오믹 전극을 채용하면 신뢰성이 개선된 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자를 얻을 수 있게 된다. 기판; 상기 기판 상부에 형성된 n형 또는 p형의 GaN계 III-V족 화합물 반도체층과, 상기 GaN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층; 및 상기 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성되며, 팔라듐 갈라이드로 이루어진 팔라듐(Pd) 함유층과 니켈 옥사이드로 이루어진 니켈(Ni) 함유층이 순차적으로 적층되어 이루어지고, 패턴화된 오믹 전극;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자.