일반기술

겔 템플레이트를 이용한 전도성 고분자 막 제조 방법

본 발명은 가) 전극의 표면에 무기 및 유기 졸 용액을 코팅하는 단계, 나) 코팅한 막을 겔화 하는 단계, 다) 상기 겔화가 끝난 겔에 함유된 용매를 전도성 고분자 단량체를 포함한 전해액으로 치환하는 단계, 라) 전해액으로 치환된 전극을 작동 전극으로 하여 전기화학적 방법으로 전도성 고분자를 합성하는 단계, 및 마) 겔을 제거하는 단계를 포함하는 전도성 고분자 막의 제조 방법을 제공한다.; 본 발명은 유기 및 무기 겔 템플레이트를 이용하여 전도성 고분자를 합성한 후 겔을 제거함으로써 겔의 적절한 선택에 의하여 원하는 공극율을 갖는 전도성 고분자 막을 만들 수 있는 장점이 있으며 종래의 방법으로는 도달할 수 없는 높은 밀도를 가진 전도성 고분자 막을 제조할 수 있으므로 높은 에너지 밀도를 갖는 전극을 만들 수 있다는 장점이 있다. 가) 전극의 표면에 무기 및 유기 졸 용액을 코팅하는 단계, 나) 코팅한 막을 겔화 하는 단계, 다) 상기 겔화가 끝난 겔에 함유된 용매를, 아닐린, 피롤, 씨오펜 및 아세틸렌과 이들의 유도체 중에서 선택되는 전도성 고분자 단량체를 포함한 전해액으로 치환하는 단계, 라) 전해액으로 치환된 전극을 작동 전극으로 하여, 정전류법, 정전압법 및 순환전압법 중에서 선택되는 전기화학적 방법으로 전도성 고분자를 합성하는 단계, 및 마) 겔을 제거하는 단계를 포함하는 전도성 고분자 막의 제조 방법.