일반기술

기판 미세가공을 이용한 삼각산맥구조물 및 그 성형틀 제조방법

본 발명은 기판 미세가공을 이용한 삼각 산맥 구조물 및 그 성형틀 제조방법에 관한 것으로, 특히 (100) 실리콘 기판 상부 및 하부에 각각 제 1 및 제 2절연막을 형성하고, 제 1절연막 상부에 삼각 산맥 구조물의 산맥 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하고, 감광막 패턴에 맞추어 제 1절연막을 식각하여 식각 마스크 패턴을 형성한 후에, 감광막 패턴을 제거하고, 식각 마스크 패턴에 의해 드러난 기판을 방향성 습식 용액을 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 기판 미세가공으로 삼각 골짜기를 형성하고, 식각 마스크 패턴 및 제 2절연막을 제거하여 삼각 산맥 구조물의 실리콘 성형틀을 형성한다. 이러한 삼각 산맥 구조물의 실리콘 성형틀에 성형물질을 붓고 이를 성형한 후에, 성형틀에서 굳은 성형물질을 분리하여 삼각 산맥 구조물을 제조한다. 또한, 삼각 산맥 구조물의 실리콘 성형틀로 사출 성형, 압출 성형, 또는 핫 엠보싱 공정 등을 위한 금속 형틀도 만들 수 있어 위 공정들을 통한 삼각 산맥 구조물의 대량 생산도 가능하다. 그러므로, 본 발명은 기판 미세 가공 기술을 이용하여 항력을 효율적으로 감쇠시키면서 곡면 등에도 적용할 수 있는 피크가 날카로운 유연한 미세 삼각 산맥 구조물을 대량으로 생산할 수 있다. 두개 이상의 삼각 산맥 피크와 그 사이에 적어도 하나 이상의 골짜기가 있으며 상기 삼각 산맥 피크 및 골짜기는 병렬로 배치된 삼각 산맥 구조물의 성형틀 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 상부 및 하부에 각각 제 1 및 제 2절연막을 형성하는 단계; 상기 제 1절연막 상부에 상기 삼각 산맥 구조물의 산맥 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴에 맞추어 제 1절연막을 식각하여 식각 마스크 패턴을 형성한 후에, 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 식각 마스크 패턴에 의해 드러난 기판을 방향성 습식 용액으로 식각하는 기판 미세가공 기술을 이용하여 삼각 골짜기를 형성하는 단계; 상기 식각 마스크 패턴 및 제 2절연막을 제거하여 상기 삼각 산맥 구조물의 성형틀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 미세가공을 이용한 삼각 산맥 구조물의 성형틀 제조방법.