일반기술

저온 층흐름 모드 금속산화물 박막 증착방법 및 이를 이용한 나노선 합성방법

본 발명은 금속산화물의 박막증착에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물의 박막 제조시 기존의 방법보다 휠씬 낮은 플루언스(fluence)의 레이저를 이용하여 박막에서 생성되는 섬(island) 형태 입자군의 크기를 작게 조절하여 낮은 온도에서의 층흐름형 박막증착을 유도하고, 상기 박막증착후 열처리를 하여 층모양의 일정성을 유지하여 잘 정의되어진 기판표면의 제조를 가능하게 하며, 또한 상기한 저온 층흐름형 증착모드를 이용한 나노선 합성방법에 관한 것이다. ; 이를 위하여 본 발명은 레이저를 표적물질에 입사시켜 상기 표적물질을 기화시키는 단계와, 기화된 상기 표적물질의 입자들이 소정온도의 기판에 증착되어 입자군을 형성하는 단계와, 상기 입자들이 에너지가 상기 기판의 층방향으로 이동하는 층흐름모드 형성단계와, 상기 증착된 기판의 열처리 단계를 포함하는 저온 층흐름형 금속산화물 박막증착방법을 제공함을 그 특징으로 한다. 0.7 J/㎠ 이하의 저플루언스의 펄스형태 레이저를 표적물질에 입사시켜 상기 표적물질을 기화시키는 단계; 기화된 상기 표적물질의 입자들이 800℃ 정도의 기판에 증착되어 불안정한 에너지 상태의 작은 크기의 입자군을 형성하는 단계; 상기 입자들이 상기 기판의 층방향으로 이동하여 안정화되는 층흐름모드 형성단계; 및 상기 증착된 기판의 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 층흐름형 금속산화물 박막증착방법.

기술정보

기술분류
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
보유기관
포항공과대학교
기술유형
일반기술
등록일
2007-08-10
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

정보 없음

관련 특허

등록된 관련 특허가 없습니다.