일반기술
소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하는 방법
본 발명은 기재 표면에 친수성 코팅층을 형성하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기재를 양이온 고분자 수용액에 침지시켜 기재의 표면에 양이온 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하고, 표면에 양이온 코팅층이 형성된 상기 기재를 음이온 고분자 수용액에 침지시켜 상기 양이온 코팅층 위에 음이온 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하는 것을 포함하는, 본 발명의 재료 표면의 친수화 코팅 방법에 따르면, 기재의 크기와 형태에 대한 제약 없이 무기 재료뿐만 아니라 플라스틱, 고무 등의 고분자 재료의 기재에도 친수성 코팅층을 형성할 수 있다. 고분자 기재를 폴리(알릴아민하이드로클로라이드)(PAH), 폴리아닐린(PAN) 및 폴리(디알릴디메틸)아민(PADA) 중에서 선택된 양이온 고분자 수용액에 침지시켜 기재 표면에 양이온 고분자 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하고, 표면에 양이온 고분자 코팅층이 형성된 상기 기재를 폴리(아크릴산)(PAA), 폴리(메타크릴산)(PMA) 및 폴리(타이오펜아세트산)(PTAA) 중에서 선택된 음이온 고분자 수용액에 침지시켜 상기 양이온 고분자 코팅층 위에 음이온 고분자 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하는 단계를 포함하는, 소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하는 방법.
기술정보
- 기술분류
- 화학 > 전이금속화학·착물화학
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.