일반기술

MEMS 기술을 이용한 가속도센서 및 그 제조방법

본 발명은 MEMS 기술을 이용한 가속도센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. ; 본 발명의 제조방법은 실리콘 웨이퍼 양면에 제 1 산화막을 형성시키는 단계; 상기 제 1 산화막을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 실리콘 웨이퍼의 하면을 벌크 에칭(bulk etching)하는 단계; 상기 벌크 에칭된 실리콘 웨이퍼에 제 2 산화막을 형성시키는 단계; 상기 제 2 산화막을 패터닝하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼의 하면에 베이스 실리콘 웨이퍼를 적층하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼에 진동센서를 DEEP RIE(Reactive Ion Etching) 식각으로 형성하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼에 DEEP RIE(Reactive Ion Etching) 식각으로 광섬유 삽입홈을 형성하는 단계; 상기 광섬유 삽입홈에 입, 출력 광섬유를 고정시키는 단계; 상기 입, 출력 광섬유가 고정된 상기 실리콘 웨이퍼 상면에 고정물을 패키징 하는 단계를; 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정을 이용하여 센서의 소형 제작이 가능하며, 광의 전송로로써 광섬유를 사용하여 무인 자동화 시스템을 구축할 때 다수의 공작기계를 장거리에서 효율적인 진단 및 감시가 가능한 효과가 있다. MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용한 가속도센서의 제조 방법에 있어서; 실리콘 웨이퍼 양면에 제 1 산화막을 형성시키는 단계; 상기 제 1 산화막을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 실리콘 웨이퍼의 하면을 벌크 에칭(bulk etching)하는 단계; 상기 벌크 에칭된 실리콘 웨이퍼에 제 2 산화막을 형성시키는 단계; 상기 제 2 산화막을 패터닝하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼의 하면에 베이스 실리콘 웨이퍼를 적층하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼에 진동센서를 디프 반응성 이온 에칭(Deep Reactive Ion Etching : DRIE) 식각으로 형성하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼에 광섬유 삽입홈을 디프 반응성 이온 에칭 식각으로 형성하는 단계; 상기 광섬유 삽입홈에 입, 출력 광섬유를 고정시키는 단계; 상기 입, 출력 광섬유가 고정된 상기 실리콘 웨이퍼 상면에 고정물을 패키징 하는 단계를; 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 기술을 이용한 가속도센서의 제조방법.