일반기술

탐침형 깊은 준위 과도전기 용량 분광기

탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기(deep-level transient spectroscopy)를 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따른 장비는 측정될 시료인 전극 패드가 노출된 반도체 소자 칩을 담는 진공조, 반도체 소자 칩의 전극 패드에 접촉하는 탐침, 반도체 소자 칩을 지지하는 시료 지지부, 반도체 소자 칩을 77K까지 냉각시키기 위해 시료 지지부를 냉각하기 위해 시료 지지부 하부에 연결되고 내부에 냉매가 순환되는 냉각부, 반도체 소자 칩을 700K까지 승온시키기 위한 가열부, 냉각 또는 가열에 따른 온도 변화에 의해서 시료 지지부가 수평 방향으로 열 팽창 또는 수축하는 것을 억제하기 위해 시료 지지부의 측면에 잇대어진 수평 지지대, 수평 지지대가 고정되게 지지하기 위해 진공조 내에 고정 설치되는 수평 지지대, 및 탐침을 통해 반도체 소자의 전극 패드에 전기적으로 연결되어 온도 변화에 따른 시료의 정전 용량 변화를 측정하는 정전 용량 측정기를 포함하여 구성된다.깊은 준위 과도 전기 용량 분광기에 있어서, 측정될 시료인 전극 패드가 노출된 반도체 소자 칩을 담는 진공조; 상기 진공조 내로 도입되어 전기적 연결을 위해 상기 반도체 소자 칩의 전극 패드에 접촉하는 탐침; 상기 진공조 내에서 상기 반도체 소자 칩을 지지하는 시료 지지부; 상기 시료 지지부의 냉각에 의해 상기 반도체 소자 칩을 77K까지 냉각시키기 위해 상기 시료 지지부에 연결되고 내부에 냉매가 순환되는 냉각부; 상기 시료 지지부의 가열에 의해 상기 반도체 소자 칩을 700K까지 승온시키기 위한 가열부; 상기 냉각 또는 가열에 따른 온도 변화에 의해서 상기 시료 지지부가 수평 방향으로 열 팽창 또는 수축하는 것을 억제하기 위해 상기 시료 지지부의 측면에 잇대어진 수평 지지대; 상기 수평 지지대가 고정되게 지지하기 위해 상기 진공조 내에 고정 설치되어 상기 수평 지지대에 연결된 수평 지지대; 및 상기 탐침을 통해 상기 반도체 소자의 전극 패드에 전기적으로 연결되어 상기 온도 변화에 따른 상기 시료의 정전 용량 변화를 측정하는 정전 용량 측정기를 포함하는 것을 특징으로 하는 탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기.