일반기술

이리듐 함유 게이트 전극을 갖춘 HFET 소자 및 반도체 소자와 이들의 제조방법

Ir을 열처리에 의해 산화시켜 형성된 전도성 산화물을 포함하는 게이트 전극을 갖춘 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자는 기판과, 상기 기판 위에 형성된 제1 질화물계 반도체층으로 이루어지는 제1층과, 상기 제1층 위에 형성되고 상기 제1 질화물계 반도체층과는 다른 격자 상수를 갖는 제2 질화물계 반도체층으로 이루어지는 제2층과, 상기 제2층 위에 형성된 소오스 및 드레인 전극과, 상기 제2층 위에 형성되고, Ir 함유 물질로 이루어지는 게이트 전극을 포함한다. Ir 함유 물질로 이루어지는 게이트 전극을 형성하기 위하여, 먼저 상기 패터닝된 질화물계 반도체층 위에 Ir 함유 금속층을 형성한다. 그 후, 상기 Ir 함유 금속층을 열처리한다. 상기 Ir 함유 금속층의 열처리는 200 ∼ 600℃의 온도로 행해진다. 상기 Ir 함유 금속층의 열처리는 RTP 장치를 이용하여 행해지며, 산소, 질소 또는 아르곤 분위기하에서 행해진다.기판과, 상기 기판 위에 형성된 제1 질화물계 반도체층으로 이루어지는 제1층과, 상기 제1층 위에 형성되고 상기 제1 질화물계 반도체층과는 다른 격자 상수를 갖는 제2 질화물계 반도체층으로 이루어지는 제2층과, 상기 제2층 위에 형성된 소오스 및 드레인 전극과, 상기 제2층 위에 형성되고, Ir 함유 물질로 이루어지는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.