일반기술

반사억제층을 구비한 갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법

본 기술은 빛 손실 문제를 해결하기 위한 반사 억제층을 구비하여 빛 발산이 향상된 갈륨 나이트라이계 광소자에 관한 기술로, 갈륨 나이트라이드계 광소자는p-GaN막 상의 p형 전극 위에 반사 억제층을 형성함으로써 광출력이 증가되고, 제조 공정시는 금 와이어 본딩시 일어날 수 있는 단락에 의한 소자 수율저하를 방지할 수 있다.이를 위해 본 기술은 기판 상에 형성된 n-GaN막, 상기 n-GaN막 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 p-GaN막, 상기 p-GaN막, 활성층 및 n-GaN막을 선택적으로 식각하여 상기 n-GaN막을 노출하도록 마련된 트랜치 내에 형성된 n형전극, 상기 p-GaN막 상에 형성된 p형 전극, 상기 n형 전극 및 p형 전극의표면 일부에 형성된 본딩 금속 패턴 및 상기 p형 전극의 표면, 트랜치의 측벽 및 n형 전극 상에, 상기 활성층에서 발산된 빛이 반사되지 못하게 함과 아울러 금 와이어 본딩시 금 와이어 본딩 금속과 상기 트랜치의 측벽이 단락되는 것을 방지하도록 Si3N4층 또는 SiOxNy층으로 형성된 반사 억제층을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자로 구성된다.