일반기술

유기금속 착화합물 및 이를 이용한 금속 실리케이트 박막의 증착방법

본 발명은 유기금속 착체 및 이를 이용한 금속 실리케이트 박막의 증착방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1의 유기금속 착체의 증기를 기판에 접촉시키는 본 발명의 방법에 의하면, 반도체 소자용 게이트 절연막으로 유용한, 목적하는 조성의 금속 실리케이트 박막을 간편하게 제조할 수 있다:; [화학식 1] ; 상기 식에서,; M은 3가 또는 4가 금속이고;; R은 C 1-4 의 알킬이고;; X는 할로겐이고;; Y는 O 또는 N이며;; M이 3가 금속인 경우 a는 3이고, b는 1 내지 3의 정수이고, M이 4가 금속인 경우 a는 4이고, b는 1 내지 4의 정수이고;; Y가 O인 경우 m은 1이고, Y가 N인 경우 m은 2이다. 하기 화학식 1의 구조를 갖는 유기금속 착체의 증기를 기판에 접촉시키는 것을 포함하는, 금속 실리케이트 박막의 증착방법: 화학식 1 (X) a-b -M-(Y-(Si(R) 3 ) m ) b 상기 식에서, M은 3가 또는 4가 금속이고; R은 C 1-4 의 알킬이고; X는 할로겐이고; Y는 O 또는 N이며; M이 3가 금속인 경우 a는 3이고, b는 1 내지 3의 정수이고, M이 4가 금속인 경우 a는 4이고, b는 1 내지 4의 정수이고; Y가 O인 경우 m은 1이고, Y가 N인 경우 m은 2이다.