일반기술

양극 산화공정을 이용한 일체형 3극 구조 전계방출소자 및 그 제조방법

본 발명은 양극 산화 공정을 이용한 일체형 3극 구조 전계방출 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 즉 본 발명은 유리 및 웨이퍼 기판위에 각 전극과 알루미늄층을 형성하고 양극 산화를 통해 알루미나층에 다수의 나노미터 단위 미세 홀을 형성한 후, 각 미세 홀내에 전계방출을 위한 에미터를 제조하고 양극용 최상부 전극을 알루미나 층위에 밀폐 형성시켜 일체화된 진공 미세 3극 구조의 전계방출 소자를 구현함으로써, 종래의 전자 빔 리소그라피 방법을 이용하지 않고도 일정한 크기와 배열을 가지는 미세 홀을 얻을 수 있으며, 또한 낮은 전압에서도 높은 전류밀도를 가지는 소자를 얻을 수 있게 되는 이점이 있다.양극산화 공정을 이용한 일체형 3극 구조를 가지는 전계방출 소자로서, 지지층 상부에 증착 형성되어 전계 방출 소자의 음극으로 사용되는 하부 전극층과; 균일한 전계방출 특성을 위해 상기 하부 전극 상부에 증착 형성되는 저항층과; 게이트 홀로 사용되는 다수의 미세 홀이 형성된 게이트 절연층과; 상기 게이트 절연층 상부에 형성되는 게이트 전극층과; 상기 게이트 전극 상부에 절연층으로, 게이트 절연층의 홀과 단일채널을 이루는 알루미나층과; 구조의 밀폐와 양극으로 사용되는 상부 전극층과; 상기 게이트 절연층에 형성된 각 미세 홀 내 생성되며, 고 전계에서 전자를 방출하는 에미터 를 포함하는 일체형 3극 구조 전계방출 소자.