일반기술

레이저를 이용하여 기재로부터 분리된 나노막대 및 이의 분리방법

본 발명은 레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재위에서 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 산화아연 나노막대 및 기타 나노막대에 특정 파장을 가지는 레이저 빔을 조사시켜 나노막대와 기재의 선택흡수에 의해 발생하는 열팽창 차이로 인한 응력을 이용하여 기재와 나노막대를 분리시킴으로써 고밀도 고효율의 나노소자 개발에 적용할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다. ; 본 발명은 레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재위에 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 방법으로서, 레이저가 크게 흡수되지 않고 투과할 수 있는 기재위에 성장된 반도체 나노막대를 레이저를 이용하여 분리시키는 본 발명의 방법에 의하면 두께가 균일하고 길이가 일정한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 장점이 있다. 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 있어서, 레이저를 흡수하지 않고 투과시키는 기재위에서 나노막대를 성장시키는 단계; 상기 단계에서 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 상기 기재에서 분리시키는 단계를 포함하고, 상기 기재위에서 성장되는 나노막대의 재질은 레이저를 흡수하는 재질인 ZnO, GaN, Si, InP, InAs, GaAs, Ge 및 카본나노튜브 중의 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법.