일반기술

중합체 패턴의 형성 방법

본 발명은 중합체 패턴의 형성방법에 관한 것으로, 원자전이 라디칼중합(atom transfer radical polymerization, ATRP)용 중합 개시제를 고체 기질상에 자기조립시킨 후 광식각법에 의해 일정한 패턴의 분자막을 형성한 다음 중합을 실시하여 중합체 패턴을 형성하며, 이와 같은 방법으로 형성된 중합체 패턴은 미세전자회로 제작에 필요한 에칭용 마스크로 유용하고, 화학적인 안정성을 이용하여 미세유로설계(microfluidics)와 같은 미세전기기계 시스템(Microelectromechanic System, MEMS) 및 생명 공학 분야에도 응용 가능하다. ⅰ)기질 표면에 원자전이 라디칼중합(ATRP)용 중합개시제를 자기조립하여 중합개시제 분자 박막층을 형성하는 단계; ⅱ)상기 자기조립된 중합개시제 분자 박막층을 광식각하여 패턴화하는 단계; ⅲ)상기 패턴화된 중합개시제 박막상에 ATRP용 단량체, 리간드 및 촉매를 포함하는 중합 반응물을 도입하여 중합을 수행하는 단계를 포함하는, 중합체 패턴의 형성 방법.