일반기술

반도체 소자 및 그 제조방법

본 발명은 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트(Gate), 웰(Well)로 형성된 모스펫(MOSFET) 반도체 소자의 주위에 필드 게이트(Field Gate) 또는 금속(Metal) 배선으로 이루어진 필드전극을 형성하고, 이 필드전극에 전압을 인가하여 필드전극 밑 부분의 웰 또는 기판의 일부분 영역을 공핍(Depletion) 또는 축적(Accumulation)하여 웰 또는 기판 저항을 변화시킴으로써 반도체 소자의 초고주파 특성을 개선하고 그 특성의 조절을 쉽게 할 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 반도체 기판 상에 형성된 웰(well); 상기 기판 또는 상기 웰에 형성된 다수개의 소스, 드레인, 게이트 및 웰콘택; 상기 기판 또는 상기 웰의 면저항을 증가시키기 위해 상기 소스, 드레인, 게이트 및 웰콘텍의 주변에 형성된 소정의 필드전극을 포함하고, 상기 소스, 드레인, 게이트 및 웰콘택은 MOS 소자를 이루도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.