일반기술

반도체 소자 및 그 제조방법

본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트 (Gate), 웰(Well) 등의 4단자를 갖는 MOSFET 구조에서 상기 게이트 위에 수직으로 오버레이 게이트(Overlay Gate)를 형성하여 게이트의 저항을 변화시켜서 반도체 소자의 특성, 특히 초고주파 특성의 조절을 쉽게 할 수 있으며, 게이트 저항을 감소시켜서 초고주파 특성을 개선시킬 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 반도체 기판 상에 형성된 웰(well); 상기 기판 또는 상기 웰에 형성된 다수개의 소스, 드레인, 게이트 및 웰콘택; 상기 게이트 상에 상기 게이트와 수직방향으로 형성된 오버레이(overlay) 게이트를 포함하고, 상기 소스, 드레인, 게이트 및 웰콘택은 MOS 소자를 형성하고, 상기 오버레이 게이트는 상기 게이트와 동일한 재료로 형성되고, 상기 오버레이 게이트가 다수개의 라인 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.