일반기술

필드 에미터 어레이 및 그 제조 방법 및 상기 필드 에이터 어레이를 포함하는 필드 에미터 디스플레이

본 발명에서는, 길이가 균일한 CNT를 에미터로서 채용한, 3극구조 FED용 필드 에미터 어레이 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에서 제공하는 3극구조 FED용 필드 에미터 어레이는, 기판; 상기 기판 위에 위치하는 캐소드층; 상기 캐소드층 위에 위치하며, 규칙적인 패턴으로 배열된 다수의 미세홀을 갖는 제1 알루미나층; 상기 제1 알루미나층 위에 위치하며, 상기 제1 알루미나층의 미세홀의 크기 와 같거나 보다 더 큰 다수의 웰을 갖는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위에 위치하며, 상기 게이트 절연층의 웰 패턴과 실질적으로 일치하는 패턴으로 배열된 다수의 웰을 갖는 게이트 전극층; 상기 제1 알루미나층의 미세홀 내에 위치하며, 그 기부가 상기 캐소드층과 접촉하고 있는 탄소나노튜브 에미터;를 포함하며, 모든 상기 탄소나노튜브 에미터의 길이가 실질적으로 일정하고, 상기 탄소나노튜브 에미터의 모든 선단이 상기 게이트 절연층의 상부 표면 아래에 위치하며, 상기 탄소나노튜브 에미터의 적어도 일부의 선단이 상기 게이트 절연층의 웰 내의 공간에 노출되어 있다. 기판; 상기 기판 위에 위치하는 캐소드층; 상기 캐소드층 위에 위치하며, 규칙적인 패턴으로 배열된 다수의 미세홀을 갖는 제1 알루미나층; 상기 제1 알루미나층 위에 위치하며, 상기 제1 알루미나층의 미세홀의 크기와 같거나 보다 더 큰 다수의 웰을 갖는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위에 위치하며, 상기 게이트 절연층의 웰 패턴과 실질적으로 일치하는 패턴으로 배열된 다수의 웰을 갖는 게이트 전극층; 상기 제1 알루미나층의 미세홀 내에 위치하며, 그 기부가 상기 캐소드층과 접촉하고 있는 탄소나노튜브 에미터;를 포함하며, 적어도 일부의 상기 탄소나노튜브 에미터의 선단이 상기 게이트 절연층의 웰 내의 공간에 노출되어 있는, 필드 에미터 어레이.