일반기술

블록면 위스퍼링 갤러리 모드를 이용한 발광 소자, 발광소자 어레이 및 그 제조방법

볼록면(convex) 위스퍼링 갤러리 모드를 이용한 발광 소자, 발광 소자 어레이 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 볼록면 위스퍼링 갤러리 모드를 이용한 발광 소자는 활성영역을 포함한 다수의 층들이 수직으로 적층되는 PIN형 반도체를 이용한 발광 소자에 있어서. 높은 밴드갭 에너지를 가지는 제1 층 및 낮은 밴드갭 에너지를 가지는 제2 층이 교대로 적층됨으로써 다수의 양자 우물들을 가지는 활성영역; 상기 활성영역의 상하에 각각 위치하는 P 분산형 브래그 반사판(P-DBR: P-distributed Bragg Reflection) 및 N 분산형 브래그 반사판(N-DBR: N-distributed Bragg Reflection); 및 상기 PIN형 반도체에 수직으로 형성되는 소정의 직경을 가지는 홀(hole)을 포함하는 발광 소자로, 상기 홀 주변의 활성영역을 따라 다수의 파장을 가지는 빛이 발진하며, 상기 제1 층 및 상기 제2 층은 Al x Ga 1- x As층을 포함하고, 상기 활성영역에 만들어지는 상기 홀의 직경은 보통 수 um 이상의 크기를 가지는 것을 특징으로 한다. 이로써, 폴리이미드 공정, 메탈 공정 등의 후속공정 없이도 고집적 발광 소자 어레이를 제조할 수 있는 효과가 있다. 활성영역을 포함한 다수의 층들이 수직으로 적층되는 PIN형 반도체를 이용한 발광 소자에 있어서, 높은 밴드갭 에너지를 가지는 제1 층 및 낮은 밴드갭 에너지를 가지는 제2 층이 교대로 적층됨으로써 다수의 양자 우물들을 가지는 활성영역; 상기 활성영역의 상하에 각각 위치하는 P 분산형 브래그 반사판(P-DBR: P-distributed Bragg Reflection)과 N 분산형 브래그 반사판(N-DBR: N-distributed Bragg Reflection); 및 상기 PIN형 반도체에 수직으로 형성되는 소정의 직경을 가지는 홀(hole)을 포함하고, 상기 제1 층 및 상기 제2 층은 Al x Ga 1-x As층을 포함하며, 상기 발광 소자는 상기 홀 주변의 활성영역을 따라 다수의 파장을 가지는 빛이 발진하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.