일반기술

국부 전기화학석출법을 이용한 치밀한 품질의 높은 종횡비의 미세구조물을 제조하는 방법

국부전기화학석출법(localized electrochemical deposition)을 이용한 높은 종횡비를 갖는 3차원 미세 물체를 제조하는 방법으로서, 전도성 미세 전극을 간격 형성을 위해 전도성 기판 표면부근에 위치시키는 단계; 상기 전도성 미세전극과 상기 전도성 기판 표면이 접촉하도록 전기화학적 매체를 도입하는 단계; 상기 3차원 물체를 석출하기 위하여 상기 전기화학적 매체를 가로질러 전기적 포텐셜을 인가하는 단계; 상기 전도성 전극과 상기 3차원 물체사이의 최적 거리를 선정하는 단계; 및 상기 최적공정 조건 하에서 산출된 미세 전극과 3차원 물체사이의 거리를 일정하게 유지하면서, 상기 전도성 전극을 이동시키는 단계를 포함한다. 미세전극과 상기 3차원 물체사이의 최적거리는 코우히어런트 X-선을 이용한 미세 방사학적 장치를 이용하여 확인되며, 전도성 전극의 위치조절은 스테핑 모터에 의해 행해진다. 국부 전기화학석출법을 이용한 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법으로서, (a) 팁 형태의 미세전극을 전도성 기판의 표면 부근에 위치시키는 단계; (b) 상기 미세전극과 상기 전도성 기판의 표면이 전기화학적으로 접촉하도록 전기화학적 매체를 도입하는 단계; (c) 미세구조물을 석출하기 위하여 상기 전기화학적 매체를 가로질러 상기 미세전극과 상기 전도성 기판 사이에 전기적 포텐셜을 인가하는 단계; (d) 상기 미세전극과 상기 미세구조물 사이의, 상기 미세구조물이 치밀하게 성장할 수 있도록 하는 최적 거리를 선정하는 단계; 및 (e) 상기 치밀한 미세구조물이 높은 종횡비를 갖도록, 상기 최적 거리를 유지하면서 상기 미세전극을 이동시키는 단계를 포함하는 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법.