일반기술

스퍼터 이온펌프의 배기방법 및 그에 대한 구조

본 발명은 스퍼터 이온펌프에서 두 개의 티타늄 음극판과 그 사이에 위치하는 원통형 양극 셀 튜브들간에 PIC 시뮬레이션을 이용하여 간격을 도출하여 배기 성능을 극대화하기 위한 것으로, 이를 위한 구조는 고전압에 의해 생성된 양이온이 두 개의 음극판에 충돌하여 티타늄 원자들이 스퍼터링되어 원통형 양극 셀 튜브들 내부 표면에 티타늄 층으로 형성되는 스퍼터 이온 펌프의 구조에 있어서, 두 개의 음극판과 그 사이에 위치하는 원통형 양극 셀 튜브들간의 갭을 PIC 시뮬레이션을 통해 7㎜의 간격으로 도출하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 따라서, 기체의 이온화 확률 및 음극판에서 스퍼터링된 티타늄 원자가 양극으로 증착되는 양을 최적화하여 배기 성능을 극대화 할 수 있는 효과가 있다. 두 개의 음극판과 그 사이에 위치하는 다수의 원통형 양극 셀 간의 간격을 도출할 수 있는 스퍼터 이온 펌프에서의 배기 방법으로서, 상기 다수의 원통형 양극 셀에 다수 전자들이 형성되는 제1과정과, 상기 형성된 다수 전자들과 PIC 시뮬레이션에 의해 도출된 간격을 통해 진입하는 기체 분자들이 결합하여 이루어진 양이온이 상기 음극판에 충돌하여 스퍼터링되는 제2과정과, 상기 스퍼터링되는 원자들이 상기 다수의 원통형 양극 셀에 티타늄 층으로 형성되는 제3과정과, 상기 간격을 통해 입사되는 다수의 기체와 상기 티타늄 층이 결합하여 고체상태로 고정되어 배기되는 제4과정 을 포함하는 스퍼터 이온펌프의 배기 방법.