일반기술
게이트 제어 홀 효과 소자 및 그것을 제조하는 방법
게이트 제어 홀 효과 소자 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 소자는 기판 상에 2차원 전자계를 형성하는 이종접합 구조체를 포함한다. 이종접합 구조체의 일부 영역 상에 길이 방향에 평행 및 반평행하게 자화되기 쉬운 이방성 강자성층이 위치한다. 한편, 이종접합 구조체 상에 강자성층과 이격된 제1게이트 전극들이 위치한다. 이 제1게이트 전극들은 이차원 전자계의 채널영역을 한정하도록 강자성층의 일 단부 앞쪽에서 서로 분리되어 위치한다. 이에 더하여, 이차원 전자계의 전류흐름을 강자성층의 일 단부 아래에 집중시키도록 제2게이트 전극들이 이종접합 구조체 상에 위치한다. 이에 따라, 게이트 전극들에 게이트 전압을 인가하여 홀 효과를 극대화시킬 수 있다. 기판; 상기 기판 상에 2차원 전자계를 형성하는 이종접합 구조체; 상기 이종접합 구조체의 일부 영역 상에 위치하고, 길이 방향에 평행 및 반평행하게 자화되기 쉬운 이방성 강자성층; 및 상기 이종접합 구조체 상에 상기 강자성층과 이격되어 위치하되, 상기 강자성층의 일 단부 앞쪽에서 서로 분리되어, 게이트전압이 인가됨에 따라 상기 강자성층의 일 단부 앞쪽에 상기 이차원 전자계의 채널영역을 한정하는 제1게이트 전극들을 포함하는 게이트 제어 홀 효과 소자.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-08-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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